玻璃与基材科学

晶体基材的各向异性膨胀:面内膨胀不等如何产生 2 次角度误差

晶体基材的各向异性膨胀:面内膨胀不等如何产生 2 次角度误差

单晶基材沿不同晶轴的线膨胀系数不同,晶片面内膨胀不等时放射状刻线会按 2 倍角偏转。本文推导误差幅值 Δα·sin²ν·ΔT/2,算出蓝宝石 A 面约 5″、石英 X/Y 切约 31″(ΔT = 50 K,示例参数),并给出取向、读数头布置与温度补偿对策。

非晶玻璃的热膨胀各向同性,升温只会让码盘整体放大一点,放射状刻线的角度位置不变。换成单晶基材(蓝宝石、晶体石英)情况就不同了:晶体的线膨胀系数随方向变化,一片面内两个方向膨胀不等的晶片,升温后圆会变成椭圆,放射线随之偏转。这个误差每转出现两次,与读数半径无关,对径双读数头也消不掉。本文把它从热膨胀张量一直算到角秒,并回答两个工程问题:哪些切向安全,剩下的该怎么压。

面内两个主轴膨胀不等(x、y 为晶片面内主轴):升温 50 K 后放射线向膨胀较大的轴偏转,读数头处误差随转角按 sin2θ 变化;形变按 3000 倍放大显示,Δα = 1.0 ppm/K 为示例值
图1 面内两个主轴膨胀不等(x、y 为晶片面内主轴):升温 50 K 后放射线向膨胀较大的轴偏转,读数头处误差随转角按 sin2θ 变化;形变按 3000 倍放大显示,Δα = 1.0 ppm/K 为示例值

模型:从膨胀张量到 2 倍角误差

对三方、六方、四方晶系(蓝宝石、α-石英都属这一类),线膨胀系数只有两个独立值:沿光轴(c 轴)的 α∥ 和垂直于 c 轴的 α⊥。任意方向与 c 轴夹角为 χ 时:

α(χ) = α⊥ + (α∥ − α⊥)·cos²χ = α⊥ + Δα·cos²χ

其中 Δα = α∥ − α⊥。晶片法线与 c 轴夹角为 ν 时,面内有两个主轴:一个沿 c 轴在面内的投影(它与 c 轴夹角为 90° − ν),膨胀系数 α⊥ + Δα·sin²ν;另一个垂直于 c 轴,膨胀系数就是 α⊥。面内两主轴的差值为

Δα_eff = Δα·sin²ν

C 面(ν = 0)为 0,A 面(ν = 90°)为 Δα,R 面(法线与 c 轴约 57.6°)为 0.713·Δα。立方晶系的硅没有这个问题:它的热膨胀张量是各向同性的(弹性模量各向异性,是另一回事)。

设刻线在 T₀ 时按理想放射状写成,升温 ΔT 后两主轴应变为 ε_x = α_x·ΔT、ε_y = α_y·ΔT。晶轴坐标中角位置 φ 的点 (r·cosφ, r·sinφ) 移到 (r(1+ε_x)cosφ, r(1+ε_y)sinφ),角度偏移为

tan(φ + δ) = (1+ε_y)/(1+ε_x)·tanφ,δ ≈ (ε_y − ε_x)/2 · sin2φ

误差幅值

A₂ = Δα_eff·ΔT / 2

其中 φ 从 x 轴量起。这个结果有三个特点:与半径 r 无关;均匀膨胀的各向同性部分完全不出现;φ = 45° 方向偏转最大。读数头固定、盘转一周,φ 扫过 360°,误差就出现两个周期(见图1右)。同样的形式也出现在拉伸塑料薄膜码盘上(详见本文库另一篇),只是晶体的各向异性来自晶格,随批次几乎不变。

数值算例:50 K 温差

取 ΔT = 50 K(相对刻线写成时的温度)。文献里蓝宝石的 Δα 大小约 1 ppm/K 量级,但各来源的具体数值、符号甚至随温度的变化都不一致,下表取 0.5、1.0、1.6 ppm/K 三档作示例;α-石英 α∥ 约 7.1–7.5、α⊥ 约 13.2–13.7 ppm/K,Δα 约 6 ppm/K(符号与蓝宝石无关,只影响相位)。

基材与切向Δα_eff(ppm/K)Δε = Δα_eff·ΔT2 次误差幅值
蓝宝石 C 面000
蓝宝石 R 面(Δα = 1.0)0.7136 ppm约 3.7″
蓝宝石 A 面(Δα = 0.5 / 1.0 / 1.6)0.5 / 1.0 / 1.625 / 50 / 80 ppm约 2.6″ / 5.2″ / 8.3″
石英 Z 切000
石英 X 或 Y 切(Δα ≈ 6)6300 ppm约 31″

以 A 面、Δα = 1.0 ppm/K 为例:Δε = 1.0×10⁻⁶ × 50 = 50 ppm,A₂ = 25×10⁻⁶ rad × 206265 ≈ 5.2″。用精确式 arctan 直接数值计算得 5.157″,小量近似的误差不到万分之三。对 2048 线码盘,一个信号周期约 632.8″,5.2″ 相当于周期的 0.8%;石英 X/Y 切的 31″ 则接近周期的 5%,在需要高倍细分的场合不能忽略。反过来,要把 2 次误差限制在 1″ 内,允许的温度偏离为

ΔT_max = 2·e_max / Δα_eff

e_max = 1″ = 4.85 μrad 时,A 面蓝宝石(Δα = 1.0)约 9.7 K,R 面约 13.6 K,石英 X/Y 切只有约 1.6 K。

左:不同切向的面内膨胀系数随方向的变化(α⊥ = 5.0、Δα = 1.0 ppm/K 为示例);右:ΔT = 50 K 时各基材与切向的 2 次误差幅值,须线为 Δα 取值范围
图2 左:不同切向的面内膨胀系数随方向的变化(α⊥ = 5.0、Δα = 1.0 ppm/K 为示例);右:ΔT = 50 K 时各基材与切向的 2 次误差幅值,须线为 Δα 取值范围

对策:取向、读数头与温度补偿

1. 优先选 C 面(蓝宝石)或 Z 切(石英)。 光轴垂直于盘面时,面内各向同性,2 次项为零。切向有偏差时,面内差值 Δα·sin²γ 以平方方式减小:γ = 1° 时仅为 Δα 的 3×10⁻⁴;蓝宝石 Δα = 1.0 ppm/K、ΔT = 50 K 下,γ = 5° 的误差也只有约 0.04″,Z 切石英同样 γ = 5° 约 0.24″(图3左)。所以 C 面的切向公差可以放宽到度的量级,没必要为此加价。

2. 读数头布置按谐波选。 把 N 个读数头的信号取平均,k 次谐波的残留比例为 |Σe^(ikφ_j)|/N。对径两头(180°)抵消 1 次(偏心),但 2 次谐波完全保留;相隔 90° 的两头恰好抵消 2 次,而 1 次谐波还剩 0.707;四头均布两者都抵消(图3右)。若必须用 A 面或 R 面,要么用 90° 或四头布置,要么在温度范围内接受上表的幅值。

3. 温度补偿。 A₂ = Δα_eff·(T − T₀)/2 与晶轴方向绑定:相位由晶轴相对读数头的位置决定,幅值正比于相对写入温度的温差。出厂标定记下晶轴方向,使用时再测温度,两个参数就能算出补偿量。注意冷却时幅值反号。

左:C 面基片切偏 γ 后的残余 2 次误差;右:读数头个数与布置对 1 次、2 次谐波的抑制
图3 左:C 面基片切偏 γ 后的残余 2 次误差;右:读数头个数与布置对 1 次、2 次谐波的抑制

4. 其他差异。 A、R 面基片对光有双折射(蓝宝石 Δn 约 0.008,1 mm 厚在 850 nm 附近延迟约 9 个波长量级),对偏振敏感的读数方式要核对;C 面沿 c 轴通光,正入射时不产生双折射。

工程要点

  • 面内各向异性误差 A₂ = Δα·sin²ν·ΔT/2,与读数半径无关;用 ΔT_max = 2·e_max/Δα_eff 倒推允许的温度偏离。
  • 蓝宝石优先选 C 面,切偏 5° 以内 Δα_eff 缩小两个数量级以上;A、R 面只在有明确理由时使用。
  • 石英选 Z 切;X/Y 切 Δα 约 6 ppm/K,50 K 下误差约 31″,不适合高细分场景。
  • 单读数头与对径双头都不能抑制 2 次谐波;需要时用 90° 或四头均布。
  • 蓝宝石 Δα 的数值和符号因文献而异,选型前向供应商要实测的膨胀数据,或用热循环测 2 次谐波自行标定。
  • 热循环验证时对整圈误差做傅里叶分解,单独看 2 次分量随温度的变化,与偏心引起的 1 次分量区分开。

小结

单晶基材的热膨胀由二阶张量描述,只要晶片面内两个主轴的膨胀系数不同,升温就产生每转两次、与半径无关的角度误差,幅值为 Δα_eff·ΔT/2。蓝宝石 C 面和石英 Z 切面内各向同性,是合适的选择;A 面、R 面或石英 X/Y 切则要靠读数头布置、温度控制和补偿来管理。

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