訊號問題圖鑑

症狀:李薩如圓心偏離原點——直流偏置的來源與排查

症狀:李薩如圓心偏離原點——直流偏置的來源與排查

李薩如圓心偏離原點即直流偏置,相對偏置 ε 產生每週期一次、約 ε rad 的誤差,2048 線 1% 約 1″。本文推導受光不對稱被調製度放大的 ε = κ/M,分析佔空比、雜散光、暗電流的作用條件,給出分步測量法和判據表。

示波器 X-Y 模式、直流耦合,李薩如圓大小和形狀都正常,但圓心不在原點,偏向某一側。這是直流偏置:A 或 B 疊加了一個不隨位置變化的常數。它引起的細分誤差每個訊號週期一次,在高細分倍數下很顯眼。本文先給出 ε 的讀法和誤差,再逐一分析偏置的來源和量級,最後給出分步測量方法和判據。

A 路偏置 ε 從 0 增大到 10%,李薩如圓心沿 A 軸平移;細分誤差每個訊號週期起伏一次,峰值 arcsin(ε),與 ε 近似成正比
圖1 A 路偏置 ε 從 0 增大到 10%,李薩如圓心沿 A 軸平移;細分誤差每個訊號週期起伏一次,峰值 arcsin(ε),與 ε 近似成正比

誤差與 ε 的讀法

以 A 路為例,設 A = a·cosθ + o_A。從李薩如圖或單路波形讀出最大、最小值:

ε_A = o_A/a = (X_max + X_min)/(X_max − X_min)

B 路同理。A = cosθ + ε 時,atan2 誤差每週期一次,峰值精確為 arcsin(ε),小量時約 ε rad;兩路都有偏置時,峰值約為 √(ε_A² + ε_B²)。2048 線時 1% 偏置約 1.0″。

測量時要用直流耦合,差分訊號用差分探頭或分別測 A+ 與 A− 後相減;交流耦合會把偏置濾掉,看上去圓心永遠在原點。

來源與量級

差分兩路受光不對稱。A = I₀ − I₁₈₀,設兩路的直流因照度、視窗面積或探測器響應不同而相差 ±κ:

I₀ = D·(1 + κ)·(1 + M·cosθ),I₁₈₀ = D·(1 − κ)·(1 − M·cosθ)

相減得 A = 2κD + 2DM·cosθ,所以

ε = κ / M

其中 D 為每路的直流,M 為調製度。差分本來是為了抵消直流,但它只抵消兩路相同的部分;剩下的不對稱被 1/M 放大。κ = 1%、M = 0.5 時 ε = 2%,2048 線約 2.0″;M 降到 0.3,同樣的 κ 變成 3.3%(見圖2)。碼盤側會貢獻 κ 的,是兩路檢測場下方透光區穿透率不同,例如殘留膜層、霧化或汙漬只落在其中一路上;區域性汙染的定量模型見本文庫汙染一篇。

透光與遮光面積比。0° 與 180° 兩路來自同一碼道、視窗相同時,它們看到的平均穿透率都是碼盤佔空比 D_c 乘視窗占空比,直流嚴格相同,佔空比偏差不產生偏置。但若用一個固定參考電平或單獨的參考光電二極體來代替反相通道,佔空比偏差就直接變成偏置。指示窗佔空比 50% 時:

ε = (D_c − 0.5)·π² / (4·sin(πD_c))

D_c = 0.45 時 ε ≈ −12.5%,相當大。所以同樣的線寬偏差,在真差分結構裡無害,在參考電平結構裡就是主要誤差源。

雜散光與背景光。均勻的背景光兩路都有,差分後抵消;只照到一路的雜散光,若佔該路直流的比例為 β,則 ε ≈ β/(2M)。輪轂邊緣、殼體內壁、鉻面反光都可能只掃到某一路,M = 0.5 時 β = 2% 就有約 2% 的偏置。

暗電流與電路失調。兩路暗電流之差 ΔI_d 引起 ε = ΔI_d/(2M·I₀),I₀ 為每路光電流;常溫下一般可以忽略,高溫下按每升溫 8–10 ℃ 翻倍增長,詳見本文庫讀數頭溫度影響一篇。放大器失調電壓折算到幅值上同樣表現為偏置。

差分兩路受光不對稱 κ 經調製度放大為偏置:ε = κ/M,調製度越低越敏感;右軸為 2048 線的細分誤差峰值
圖2 差分兩路受光不對稱 κ 經調製度放大為偏置:ε = κ/M,調製度越低越敏感;右軸為 2048 線的細分誤差峰值

分步測量:把偏置拆開

三步測量,每一步都用正常工作時的幅值 a 歸一,並以同一轉角、同一溫度為條件:

  1. 關閉光源:讀出 O₁,即電路失調與暗電流之和。
  2. 光源開啟、遮斷碼道光路:在光源與碼道之間插入不透光薄片,讀出 O₂,O₂ − O₁ 是繞過碼道到達探測器的雜散光貢獻。
  3. 正常工作:讀出 O₃,O₃ − O₂ 是受光不對稱(照度、視窗、探測器響應、碼盤區域性穿透率),參考電平結構還包括佔空比偏差。

圖3 是一組示例資料:總偏置 2.4%,其中電路與暗電流 0.3%、雜散光 0.6%、受光不對稱 1.5%,主攻方向一目瞭然。需要注意,第 2 步擋掉了碼盤表面自身的反光,這部分會計入第 3 步。還可以做兩個補充動作:高溫下重複第 1 步,看暗電流份額是否上升;換一片基準碼盤重複第 3 步,第 3 步的結果隨碼盤變化,說明碼盤穿透率或佔空比有問題。如果轉動碼盤時圓心位置也跟著變,那是偏置隨轉角變化,另文討論。

關光源、遮斷碼道光路、正常工作三步測量的偏置分解(示例資料,僅示意方法)
圖3 關光源、遮斷碼道光路、正常工作三步測量的偏置分解(示例資料,僅示意方法)

判據:按精度等級分配

偏置允許值由分配給它的誤差預算 E(角秒)決定:

ε_allow = sin(E·N/206265) ≈ E·N/206265

方波輸出不細分時,偏置讓比較器翻轉點移動 arcsin(ε) 電角度,判據改看邊沿位置。以下為示例分配:

用途示例要求允許偏置 ε
方波四倍頻邊沿位置偏差 ≤ ±10° 電角度≤ 17%
方波四倍頻邊沿位置偏差 ≤ ±5° 電角度≤ 8.7%
2048 線細分偏置分配 2″≤ 2.0%
2048 線細分偏置分配 0.5″≤ 0.5%
5000 線細分偏置分配 0.5″≤ 1.2%
10000 線細分偏置分配 0.2″≤ 1.0%

帶偏置自校正的細分電路可以消掉靜態偏置,此時判據管的是校正後的殘差和漂移;但出廠偏置太大會佔掉校正範圍,宜留出餘量,例如出廠偏置不超過校正範圍的一半(示例)。

工程要點

  • 用直流耦合、按 (X_max + X_min)/(X_max − X_min) 讀 ε,兩路分別讀再合成。
  • 差分只抵消相同的直流,兩路受光不對稱 κ 會被放大為 κ/M;提高調製度可以同時壓低多種偏置來源。
  • 真差分結構對碼盤佔空比偏差不敏感,參考電平結構對它非常敏感,選型和來料檢驗要區別對待。
  • 雜散光要按“是否只照到一路”評估,輪轂、壓環和殼體內表面應做發黑或避開讀數區。
  • 用關光源、遮斷碼道光路、正常工作三步把偏置分成電路、雜散光和受光不對稱三份,再對症處理。
  • 偏置判據按 ε ≈ E·N/206265 分配,線數越多,同樣角秒預算允許的偏置越大。

小結

圓心偏離原點對應直流偏置,誤差每週期一次、約 ε rad。偏置的主要來源是差分兩路受光不對稱,經調製度放大為 κ/M;佔空比只在參考電平結構裡起作用;雜散光和暗電流要看是否只作用於一路。分步測量能把總偏置拆開,再按精度等級給出的允許值判斷是否需要處理。

延伸閱讀:ENC7 編碼器碼盤生產廠家(中文首頁) · 碼盤技術文庫


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