訊號問題圖鑑

症狀:高溫下訊號幅值下降——光源、間隙與近場條件的分離

症狀:高溫下訊號幅值下降——光源、間隙與近場條件的分離

高溫掉幅通常是光源光效下降、殼體與軸熱膨脹差改變間隙、波長紅移改變近場條件三項相乘。示例中 60 K 溫升三項分別約 −24%、−9.6%、−1.0%,合計約 −32%。本文給出疊加模型、工作點敏感度和從症狀分離碼盤、機械、讀數頭三側的試驗步驟。

馬達後端的編碼器常溫下幅值 1 Vpp,熱機到 85 ℃ 左右只剩約 0.7 Vpp,驅動器開始報訊號弱;停機冷卻後又恢復。這類問題的來源往往不止一個:光源發光效率隨溫度下降,殼體和軸的膨脹不一樣使讀數間隙變了,LED 波長紅移又改變了近場成像條件。讀數頭內部各溫漂項的機理在本文庫讀數頭溫度一篇裡已逐項討論,本文從症狀出發,回答一個更實際的問題:掉下去的幅值裡,碼盤、機械、讀數頭三側各佔多少,怎樣用幾組對比試驗把它們分開。

溫度從 25 ℃ 升到 85 ℃:光源輸出(橙)、間隙與波長共同決定的調製度(藍)和總幅值(紅),右側堆疊柱為各項貢獻(示例引數,無恆光閉環)
圖1 溫度從 25 ℃ 升到 85 ℃:光源輸出(橙)、間隙與波長共同決定的調製度(藍)和總幅值(紅),右側堆疊柱為各項貢獻(示例引數,無恆光閉環)

疊加模型:三個因子相乘

對影像式近場讀數,訊號幅值可以寫成

A(T)/A(T₀) = [P(T)/P₀] · [m(g(T), λ(T)) / m(g₀, λ₀)]

其中 P 為 LED 輻射功率,m 為基波調製度,g 為讀數間隙,λ 為峰值波長。佔空比 50% 的碼盤在部分相干照明下(推導見本文庫泰伯效應一篇)

m(g, λ) = cos(πλg/p²) · sinc(g·Δα/p)

p 為節距,Δα 為測量方向上的照明角寬。探測器響應度在近紅外段隨溫度略有上升,會抵消一小部分,下面的算例不計。三個因子分別對應:

  • 光源光效:近紅外 LED 輻射功率溫度係數常見約 −0.1 ~ −0.6 %/K,隨材料和電流而異。
  • 間隙:讀數頭裝在殼體上、碼盤裝在軸上,兩條熱膨脹路徑從同一個軸向定位面出發,Δg ≈ α_殼·L_殼·ΔT_殼 − α_軸·L_軸·ΔT_軸。鋁殼體(約 23×10⁻⁶/K)配鋼軸(假設約 12×10⁻⁶/K),軸向尺寸約 25 mm,均勻溫升 60 K 時約 16 μm。正負號取決於結構:轉子發熱使軸比殼體更熱時,差值可能變小甚至反號。
  • 波長:峰值波長約 0.2–0.3 nm/K 紅移。在 cos 項裡 λ 與 g 以乘積出現,波長變化 Δλ 相當於間隙變化 g·Δλ/λ。

數值算例:60 K 溫升

假設 p = 20 μm、λ₀ = 880 nm、Δα = 20 mrad、g₀ = 100 μm,溫升 60 K:

專案假設幅值因子
光源光效−0.4 %/K0.760
間隙+15 μm0.904
波長+15 nm(0.25 nm/K)0.990
合計三項相乘0.678

總幅值下降約 32%,其中光源約佔四分之三。波長項只相當於約 1.7 μm 的間隙變化,比機械間隙項小一個數量級。

但這個比例強烈依賴工作點(見圖2)。同樣的 +15 μm 和 +15 nm,名義間隙 60 μm 時幅值分別只降約 5% 和 0.3%;名義間隙 200 μm 時,離基波零點 p²/(2λ) ≈ 227 μm 很近,分別降約 55% 和 12%,兩者疊加約 69%。也就是說,“高溫掉幅嚴重”有時並不是熱設計差,而是常溫工作點已經選在曲線陡峭段。

左:兩種波長下的調製度—間隙曲線及兩個工作點在 60 K 溫升下的移動;右:不同名義間隙下 15 μm 間隙變化與 15 nm 紅移各自造成的幅值變化(示例)
圖2 左:兩種波長下的調製度—間隙曲線及兩個工作點在 60 K 溫升下的移動;右:不同名義間隙下 15 μm 間隙變化與 15 nm 紅移各自造成的幅值變化(示例)

讀數頭有恆光閉環時,光源一項被 LED 電流補償,外部看到的掉幅只剩調製度部分,算例中約 11%;代價是驅動電流要增加約 1/0.76 − 1 ≈ 32%。若驅動餘量不夠,到某個溫度閉環飽和,幅值會在該點之後突然加速下降,這也是一個典型現象。

分離試驗:先看 A 和 S,再逐項確認

  1. 同時記錄幅值 A 與直流和 S。 S 為四相光電流之和,扣除 LED 關斷時測得的暗電流(高溫下暗電流會抬高 S)。升溫、保溫、再降回室溫,把軌跡畫在 A/A₀–S/S₀ 平面上(見圖3):A 與 S 同比例下降,是光源或光路穿透率;S 基本不變而 A 下降,是調製度,即間隙、波長或碼盤姿態;降溫後回不到起點,是不可逆因素。有恆光閉環時 S 被鎖住,改為記錄 LED 驅動電流。
  2. 外部恆流點亮。 斷開板上驅動,用實驗室恆流源以常溫電流直接點亮 LED,再測 S 的溫度曲線。它反映 LED 本身的光效溫漂;若板上驅動時下降得更多,說明驅動電流本身在漂,查取樣電阻和基準。
  3. 冷熱態測間隙。 常溫下用墊片測出幅值—間隙曲線的斜率,再分別在冷態、熱態測實際間隙(塞尺、電容測頭或測讀數頭安裝面與碼盤面的相對位置),用 Δg 乘斜率預測調製度變化,與第 1 步的結果對賬。
  4. 分割槽加熱。 只加熱讀數頭、機械保持常溫,得到光源、波長和電路項;只加熱軸系和殼體、讀數頭吹風保持常溫,得到間隙項。兩者之和應接近整機升溫的結果。
  5. 換波長對比。 常溫下換一顆不同峰值波長的 LED,或在兩個間隙下各測一次,直接求出 ∂m/∂λ,乘以實際紅移量得到波長項。工作點遠離零點時它通常在 1% 量級,可以最先排除。
熱浸試驗中幅值 A 與直流和 S 的三種軌跡:光源型沿對角線,調製度型近似豎直,不可逆型降溫後回不到起點(示意,非實測)
圖3 熱浸試驗中幅值 A 與直流和 S 的三種軌跡:光源型沿對角線,調製度型近似豎直,不可逆型降溫後回不到起點(示意,非實測)

碼盤側的原因多半落在“不可逆”一類:膠粘劑或潤滑脂在高溫下揮發,冷凝在碼盤或視窗上形成薄霧;膠層軟化使碼盤傾斜,端跳增大,幅值每轉起伏一次的幅度隨溫度明顯加大。冷卻後用顯微鏡檢查碼盤表面,熱態複測端跳,即可確認。鉻膜本身的光學密度隨溫度和波長的變化很小,一般不是主因。

工程要點

  • 用 A/A₀–S/S₀ 軌跡先分大類:沿對角線是光源,豎直下降是調製度,回不到起點是不可逆汙染或蠕變。
  • 名義間隙儘量遠離 p²/(2λ):p = 20 μm 時 g₀ 從 100 μm 移到 200 μm,同樣 15 μm 熱間隙變化的影響從約 10% 增到約 55%。
  • 波長紅移等效於 g·Δλ/λ 的間隙變化,工作點合理時通常是最小的一項。
  • 恆光閉環的驅動餘量要覆蓋最高溫度下的光效損失再加老化,算例中至少需 +32% 電流。
  • 熱設計上讓讀數頭和碼盤的軸向基準儘量靠近同一個定位面,並核算軸比殼體更熱的工況。
  • 先做外部恆流點亮和冷熱態測間隙這兩項低成本試驗,再決定是改讀數頭、改結構還是改工作點。

小結

高溫掉幅可以分解為光源光效、熱膨脹間隙和波長近場三個因子的乘積,示例中三者分別約 −24%、−9.6%、−1.0%,但比例隨名義間隙劇烈變化。記錄幅值與直流和的升降溫軌跡先分出光源型、調製度型和不可逆型,再用外部恆流點亮、冷熱態測間隙、分割槽加熱和換波長逐項確認,就能把責任落到碼盤、機械或讀數頭的具體一側。

延伸閱讀:ENC7 編碼器碼盤生產廠家(中文首頁) · 碼盤技術文庫


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